扬杰科技:MOSFET缺货涨价潮匆匆来袭这家功率半导体龙头看点多多

2018-07-22 03:50 未知

  自去年下半年以来,在供需层面多种因素的叠加作用下,重要电子元器件MOSFET价格连续大涨。今年MOSFET缺货现象更为明显,目前国际MOSFET大厂年内订单已全部排满,各大MOSFET厂仍在不断上调MOSFET价格。

  受MOSFET上游材料8寸晶圆产能不足、价格上涨影响,预计MOSFET涨价潮将至少持续到2018年年底,甚至持续到2020年。

  今天我们精选了一家公司——扬杰科技。其MOSFET产能逐步释放,显然将受益于本轮缺货涨价潮。然而它的看点,又不只是MOSFET。IDM模式带来的高毛率、同时布局MOSFET和IGBT芯片、第三代半导体材料碳化硅...从中随便挖出哪一块,都挺有前景。

  扬杰科技前身为半导体分立器件分销商,近年来通过外延并购不断向产业链上游延伸,目前已经形成集半导体单晶硅片制造、功率半导体芯片设计制造、器件设计封装测试、终端销售与服务等纵向产业链为一体,简称垂直整合(IDM)一体化经营模式。公司主要产品有功率二极管、整流桥、分立器件芯片。

  扬杰科技最开始只是一枚半导体分立器件的分销商,处在半导体制造业的末端,这些年通过外延内生,不断地向上游伸出小爪爪,目前已形成IDM一体化经营模式。

  什么叫IDM模式呢?就是打造了“硅片+设计+制造+封测+销售”全产业链。

  当前全球半导体产业有两种主流商业模式,一种是垂直整合IDM模式,另一种叫垂直分工模式。垂直分工模式包括Fabless与Foundry。其中,Fabless模式只做设计、没有工厂,比如高通;Foundry模式不会设计、只做代工,比如台积电。

  都知道,半导体行业中,前端的产品设计、开发与末端的品牌、营销的利润率最高,中间的制造、封测环节利润率较低。

  因此相比较起来,IDM企业具备资源内部整合优势,集设计、制造、封测于一体,利润率得以提高。

  可以看到,扬杰科技的毛利率由2009年的21.06%一路增长至2017年的35.58%。

  公司各类主营产品的毛利率也都稳步增长。功率二极管的毛利率由2009年的21.6%增长到2015年的29.84%;整流桥的毛利率由2009年的20.5%增长到2015年的39.94%;分立器件芯片由2010年的35.1%增长到2015年的44.97%。2016年起公司年报停止披露功率二极管与整流桥口径的毛利率,将其合并在半导体器件项目下统一披露。2017年年末,半导体器件、芯片的毛利率分别为34.32%、36.39%。

  2017年年末,扬杰科技毛利率35.58%,同行竞争者主要有华微电子(20.70%)、士兰微(26.70%)、苏州固锝(18.99%)、台基股份(36.48%)等。

  可以说,无论是利润的绝对值,还是毛利率,还是净利率,扬杰科技都完爆大多数同行。

  这些年,公司坚定不移地在功率半导体领域扎根,沿着建设硅基4寸、6寸、8寸晶圆工厂和对应的中高端二极体、MOSFET、IGBT封装工厂路径。

  公司现有两条4寸晶圆线,主要生产功率二极管、整流桥,是半导体行业的基础品种,毛利率低、技术要求低,公司积极推进资源整合,实施扩产项目,实现产品交货周期进一步缩短,可全方位满足客户需求。

  公司2015年定增一条6寸线,主要产品是高端肖特基二极管和MOSFET,与4寸线的二极管和整流桥实现产品互补。目前已有多款功率MOSFET产品成功开发量产,与公司现有客户产品形成配套,有利于加大公司与客户合作的深度与广度,预计未来将为公司贡献持续稳定的销售收入;太阳能光伏模块也在持续推广,已实现规模销售,并成功进入光伏领域全球出货量TOP10厂商的供应商体系。

  该自有6寸线正处于产能爬坡阶段,月产3.2万片左右,2018年年底有望实现月产4-5万片。

  此外,公司于18年3月控股了一条位于宜兴的6寸晶圆线%),目前已能够小批量生产IGBT芯片。也在积极规划8寸线寸晶圆、IGBT技术人才。

  这些项目的持续推进,使得公司进一步夯实产业链条,保障和提升封装环节产能,后续项目投产后将有利于降低生产成本,提升毛利率水平,增强整体盈利能力。

  自2016年下半年开始,功率半导体行情回暖。近日,以MOSFET为代表的半导体功率器件供不应求的情况加剧,交期不断拉长,并且企业纷纷调涨。

  上游晶圆代工供需紧张引发涨价,国际大厂退出或弱化低压MOSFET产能,同时下游消费电子与电动车旺季延续。

  预计在成本推动与供需缺口的情况下,此轮MOSFET涨价潮至少持续到2018年年底,甚至持续到2020年,产业链公司明显受益。

  业内普遍认为,半导体材料发展至今经历了三代。第一代是以硅、锗元素为代表,第二代主要是化合物半导体材料,如砷化镓、磷化镓等。

  不过随着半导体分立器件行业的迅速发展,常规的硅(Si)半导体、砷化镓等器件越来越无法满足高温、热导率、抗辐射性等需求。

  于是,以碳化硅(SiC)为代表的第三代因其在高压与节能上的优异特性而倍受青睐。

  SiC有非常广阔的应用场景,高铁、新能源汽车、家电、电能转换、通信与航空航天中均有其用武之地。目前,SiC功率半导体已在新能源汽车、充电桩等电源管理器中开始广泛应用。

  目前,国外企业在碳化硅功率器件领域占据主导地位,Cree(美国)和英飞凌(德国)合计市场份额就达85%以上。国内碳化硅产业已经积累了一定的材料与器件制作经验,但与国外最高水平相比,仍有不小差距。

  扬杰科技从碳化硅器件封装和晶圆制造入手,布局碳化硅产业,产品已经得到业内知名机构认可。

  2015年4月扬杰科技与中国电子科技集团公司第55研究所签订《意向协议》,扬杰科技通过增资和受让55所部分股权的方式获得国宇电子38.87%的股权。55所承诺,进一步加强对国宇电子的支持力度,实现55所相关业务在国宇电子生产平台上的融合。另外55所和扬杰科技在碳化硅芯片和模块产品方面开展合作。

  中国电子科技集团55所是国内少数从4-6寸碳化硅外延生长、芯片设计、制造领域实现全产业链。55所拥有4英寸碳化硅晶片产能,碳化硅器件国内最领先,主要供军用。双方的合作有利于发挥协同效应,高效整合国内碳化硅产业领域优势稀缺资源,第三代半导体产业化突破可期。

  目前,扬杰科技自主封装的碳化硅肖特二极管、碳化硅势垒肖特基二极管产品送样给电动汽车、充电桩及光伏逆变器等领域客户试用,收到良好反馈,已形成批量订单和贡献销售收入;碳化硅芯片制造工艺在稳定验证中。

  公司于17年1月收购建广资本旗下的广盟半导体产业投资中心88.32%的股份,而广盟则又参股了瑞能半导体有限公司,持股比例25%。

  瑞能半导体的主营业务以二极管,可控硅整流器,双极性晶体管为主。其中碳化硅二极管已有21款产品在外发售。公司间接持股瑞能半导体,进一步加快在碳化硅领域的布局,未来有望引入瑞能的产品技术,大力推动公司的碳化硅的产品开发进展。

  其实通过前文的描述,我们已经知道这是一家发展路径有板有眼的公司。一路走来,公司根据自己的发展战略有序推进、坚定不移。这与公司的人是分不开的。

  公司股权结构稳定,创始人梁勤董事长为公司实控人,间接持有公司43.16%股权。公司管理层多为70后,自创业以来核心成员无一人离职,团队凝聚力、执行力较强。

  公司通过股权激励管理人员及核心技术人员,将公司经营业绩与员工个人利益绑定,确保公司未来发展战略与目标的实现。

  得益于管理层卓越的战略目光,公司准确把握智能电表、充电桩、新能源等新兴市场发展机遇,大力发展相应产品迅速占领国内市场。

  目前来看,以中低压MOSFET以代表的功率半导体器件,中短期内仍然供不应求,大概率将继续涨价,中长期则是国产化替代主战场;高压MOSFET、IGBT、第三代SiC材料等中高端领域,受益于下游应用市场的发展趋势,未来将是相关厂商发展必争之地。

  扬杰科技目前4寸线寸线扩产项目稳步推进,产能将持续提升,也在积极规划8寸线,业务转向中高端二级体、MOSFET、IGBT,以及第三代碳化硅晶圆的建设。

  不过,公司存在一个问题,就是ROE指标持续下降。主要原因来自于总资产周转率持续走低。这应该是半导体制造行业的特性,扬杰科技是由末端的分销业务向上游扩展,模式由轻资产变成重资产。如果未来该指标数值能够保持在10%以上,那我认为它的相对优势仍然突出。